等離子體天線理論研究
等離子體天線的研究前前后后有二十多年了,國外前期很熱門,后來沉寂了很長一段時間,感覺沒有什么新的成果出來,不知道是不是因為保密的原因。國內(nèi)的研究比較零散,斷斷續(xù)續(xù)的,很多大學和研究結(jié)構都在關注這個項目,畢竟軍事價值比較大。最早是成都那邊,后來南大,東南大學,中科大,北航和中科院等很多學校都在一些文獻上發(fā)表了文章。
要研究等離子體天線,首先要對等離子體有一定的了解。所謂等離子體,就是由電子,離子和中性粒子組成的具有集約效應的準中性物質(zhì)。是屬于物質(zhì)的第四態(tài),廣泛存在于太空中,實際上在外太空中,99%以上都是以等離子體狀態(tài)存在的。
大家都知道,對固體輸入一定的能量,通俗方法是加熱,分子間的結(jié)構被破壞,但分子間距離保持不變,因此宏觀上物理的形狀改變,一般體積不會變化太大,形成液體。繼續(xù)加能量(加熱),分子能量繼續(xù)增大,脫離距離的約束,宏觀是體積變大,形狀任意,形成了氣體。對氣體繼續(xù)加能量,分子中的電子能量變大,脫離原子核的束縛,成為自由電子,此時物體就為等離子體。
根據(jù)定義,等離子體有幾個要求。
第一是由電子,離子,中性粒子組成的。首先有自由電子,離子的存在,使得它的一些屬性與金屬等同。大家都知道金屬里面都是自由電子和離子,自由電子在里面自由移動,這樣金屬的導電率才比較高。按照電離程度分為部分電離,完全電離。在部分電離的情況下就會有中性粒子的存在了。
第二,集約效應。簡單來講就是屏蔽。同金屬一樣,對外界的電磁場進行反應,生成感應電壓,電流,可以屏蔽掉外面的信號,使得內(nèi)部電場為零。想象一下,如果空間里面只有孤零零的幾個電子,離子,相隔也很遠,這時候有電磁場過來,每個粒子相互不受影響,各自運動。這時候也不能稱為等離子體。
第三,準中性的。很好理解,就是電子和離子數(shù)目大約相同。
其實很難對等離子體下一個完整的精確的定義,這只是一個比較簡單的描述,在大部分情況下可以適用。
了解完等離子體后,我們就可以解釋一下什么是等離子體天線了。
對氣體加入能量,進行電離,里面就會有自由電子,如果自由電子濃度高到一定程度時,就會呈現(xiàn)出某些導體的性能了,比如反射電磁波?梢苑瓷潆姶挪ê螅涂梢跃哂刑炀的功能了。
以一段氣體柱為例,電磁波過來,完全穿透,無反射,無吸收,不具有任何天線效應。
部分電離后,電磁波過來,反射很少,大部分穿透,部分被等離子體吸收。
繼續(xù)電離,電磁波過來,反射很大,部分吸收,極少部分穿透。
繼續(xù)電離,電磁波過來,絕大部分反射,極少吸收。
可以看出,只有在后兩種情況下,等離子體作為天線才有意義。當然第二種情況,因為吸收電磁波,也可以研究等離子體隱身了。
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其實了解天線最好的方法就是把電動力學學好。天線教材中一般對物理方面講解的很少,在推導公式時,很多近似的適用條件都是默認的,不仔細推敲可能都不是很了解,而且很多人只是記住了最后的公式,對推導過程都是一掠而過。這會導致很多概念上的問題,對天線的各個參數(shù)了解不夠透徹。
對等離子體天線而言,這點顯得尤其重要。要了解等離子體天線與金屬天線的不同,從理論上來講,就必須從麥克斯韋方程得到它自己的公式,同時金屬天線理論發(fā)展近百年,很多方面已經(jīng)很成熟了,各種條件下的近似,結(jié)果,理論,實踐參數(shù)等等,等離子體天線都可以鑒戒。如果把兩者有效的結(jié)合起來,這就必須從最基本的方程開始著手,才能得到比較正確的結(jié)論。如果不管三七二十一,找一個金屬天線的公式,將某些等離子體參數(shù)帶入進去,算出一個值來,就說等離子體天線的參數(shù)如何如何,這顯然是不科學的。
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樓主言之有理~~說實話現(xiàn)在比較浮躁,理論的東西看看就看不下去了……期待樓主的金玉良言哈
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天線參數(shù)有很多,如輻射方向圖,增益,效率,輸入阻抗,極化方向等等。以天線輻射方向圖為例,說明一下等離子體天線與金屬天線在公式推導中的不同和相同之處。
對天線而言,不管金屬天線,等離子體天線,只要知道了電流分布,基本上就可以知道各種天線參數(shù)了。電流分布嚴格說是三維的,但對金屬或高密度等離子體而言,趨膚深度很小很。ㄌ貏e是在金屬中),對波長而言,可以忽略,因此一般認為天線電流就是表面電流了。
天線的表面電流如何求解? 當然是從麥克斯韋方程組,結(jié)合天線的邊界條件接解了。可能你覺得這比較簡單,實際這是非常非常困難的,哪怕對形狀極其簡單的天線,進行精確的求解也幾乎是不可能的?赡芎芏嗳擞X得疑惑,不太可能吧,看書上的公式也很簡單啊。但要知道,那是經(jīng)過很多的近似才得到的結(jié)果。比如,電磁波在金屬表面?zhèn)鞑サ牟ㄊ复笮∨c真空中相同,不考慮天線的頂端效應等等。表面電流分布公式為I(z) = I0 * sin(k(l-z))又有些人認為這很合理啊,底部電流幅度最大,頂端電流為零,但這些近似會有很多矛盾的結(jié)果,比如阻抗,輸入阻抗應該等于歐姆阻抗加上輻射阻抗,歐姆阻抗對應天線熱效應損失的能量,輻射阻抗就是輻射出去的能量。但如果說波矢在天線表面分布處處相同,波幅又不變的話,那就是沒有歐姆損失了。
金屬天線的表面電流分布在絕大部分情況下還是比較準確的,但等離子體天線情況又如何呢?對等離子體天線必須額外的考慮幾點:
1)趨膚深度。對金屬趨膚深度都很小,銅,鐵等雖然電導率不一樣,但算出來結(jié)果,是波長的10的負20次方,還是10的負30次方,對參數(shù)幾乎沒有影響。對等離子體天線不能得到這樣的結(jié)果,必須考慮等離子體的電子密度,電子溫度,碰撞頻率等等參數(shù)。
2)波矢在天線表面的分布。對金屬天線來說,介質(zhì)在存在區(qū)域內(nèi)密度是一致的,可以認為波矢不受介質(zhì)的影響,處處相同。等離子體則不同,如何激勵等離子體也是個比較復雜的問題,基本上不太可能使得整個區(qū)域的等離子體密度處處相同。等離子體密度不同,宏觀上的電導率等各個參數(shù)也大不相同,因此波矢大小也不會一樣。
當電磁波在空間傳播時,當物質(zhì)在空間上參數(shù)發(fā)生改變時,波矢就會相應改變。 同樣道理當物質(zhì)在時間上改變時,頻率也會不同。通俗的來講,電磁波在不同介質(zhì)中傳播的波矢不一樣,在時變介質(zhì)中頻率會不同。
等離子體的狀態(tài)不可能同金屬一樣,是一成不變的,因此很難得到波矢在等離子體天線的表面分布。為簡單起見,假定等離子體密度處處相同,并且不隨時間變化,這樣可以處理一些簡單的情況。 這種假定有它的合理性,在假定達到動態(tài)平衡條件下,可以認為等離子體密度不隨時間變化。在激勵功率很大,認為等離子體密度處處相同,或者密度梯度很小,對計算結(jié)果影響不大,這也是合理的。
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我瞎想了一下,既然物質(zhì)形態(tài)是由固態(tài)到液態(tài)到氣態(tài)到等離子態(tài)(vice versa),咋我們一下就將天線設計從固態(tài)的跳到了等離子態(tài)的設計了?中間會不會需要液態(tài)和氣態(tài)過渡一下,如果說氣態(tài)不導電沒戲的話,液態(tài)應該還是有發(fā)展的空間吧,比如用汞來設計天線。
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因為等離子體是氣體,想象一下,一段氣體柱,不工作的時候,就是一些氣體,對電磁波沒有反射,別人根本無法探測到你的存在,絕對的隱身啊。
當然要有很多自由電子,這樣才能發(fā)射電磁波,天線才有好的方向性。
如果用汞做天線,性能不一定好,而且想想要多重啊。
氣體加上外面的介質(zhì)腔體(不導電) 對于短波天線,重量可不是在一個數(shù)量級上的。
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重量確實是一個很大的問題,隱身是等離子天線很大的誘惑啊,呵呵
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對金屬而言,一旦材料確定,本身的參數(shù)就不能改變了,如電導率等等。
但等離子體不一樣,它受外界因素影響很大,比如說激勵功率的大小。當激勵功率比較小時,電離度不高,電導率不大,但激勵功率比較大時,電導率增加。因此它的參數(shù)都是隨時可變的。 所以這些都直接影響到天線的輻射方向圖,增益,阻抗等等參數(shù)。
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比如說你設計好一個等離子體天線,理論,實驗都能確定很多個工作狀態(tài),要在各個狀態(tài)之間切換時,就會很方便了。
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等離子體中波矢的求解
一般的金屬天線公式中的波矢大小都是k0,也就是真空中的波矢大小,介質(zhì)天線除外。 等離子體中波矢不能使用這種近似,必須根據(jù)方程重新求解。記得有一本天線的書,有推導在柱形天線中,波矢大小的公式?梢詤⒖祭锩娴倪^程,不過在做近似的時候,按照等離子體的處理方式,金屬中能夠忽略的項,等離子體中不能忽略。
在一般冷等離子體下,可以簡化很多。冷等離子體就是電子溫度不高,電離度比較低,電子的碰撞主要是和中性粒子的碰撞,因此可以認為是一個與氣體氣壓,種類有關的常數(shù)。介電常數(shù)epsonr = epson0*(1 - wpe^2/w(w+i*lamda)),其中wpe是等離子體頻率,w是入射電磁波頻率,lamda是碰撞頻率。從公式中可以看出介電常數(shù)與入射波頻率有關,所以又稱等離子體是色散介質(zhì)。
分析一下這個公式,如果等離子體中自由電子很少,等離子體頻率很小,后面那一項幾乎為零,所以介電常數(shù)等于真空中的介電常數(shù),電磁波完全穿透過去了,無反射和吸收。如果等離子體中自由電子很多,等離子體頻率遠大于入射波頻率和碰撞頻率,那么介電常數(shù)遠小于0,電磁波完全反射。在看一下碰撞頻率lamda,如果lamda很大,那么最后計算時會發(fā)現(xiàn)波矢虛部很大,表示吸收很多。這也是很好理解的,因為碰撞對應著熱損耗。
以簡單的線天線為例,簡化后,等離子體中電場z方向,磁場threta方向,柱坐標下,由麥克斯韋方程,邊界條件可以得到一個含有零階,一階的一類和二類貝塞爾函數(shù)的復數(shù)方程。邊界條件為,在等離子體中間(r=0)時,電場有限,邊界r=a時,電場連續(xù),r=無窮大時有限。寫起來比較復雜,一些參考資料上有。
求解這個方程是比較困難的,在某些情況下,用matlab可以得到一些解。得到波矢后,就可以分析等離子體天線表面電流分布與等離子體參數(shù)之間的關系了。
一般有:固定入射電磁波頻率的前提下分析:
等離子體密度與表面電流分布的關系。
等離子體半徑與表面電流分布的關系
等離子體碰撞頻率與表面電流分布的關系
或者固定等離子體參數(shù)分析:
入射電磁波頻率與表面電流分布的關系。
當然最后這些所有的結(jié)果,都需要同金屬天線進行對比,發(fā)現(xiàn)哪些是相同的,哪些是不同的,原因也很容易找到。
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