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仿真時(shí)出現(xiàn)的unstable問題,請教!(已修改)

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偶在仿真一個(gè)芯片封裝時(shí),在"Transient Analysis....Process excitation"結(jié)束后,CST報(bào)告
“the calculation seems to be unstable,”, 然后就被迫“abort"了。

但是根據(jù)提示去作(就是減少PBA fill limit, 或者減少stability factor,
俺試了很多個(gè)值),
上述問題仍舊存在,CST就是不給算,郁悶!

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2007-06-06 新補(bǔ)充:

看樣子很難哦,已經(jīng)試了2個(gè)星期了,沒有太大進(jìn)展。
現(xiàn)在俺把一些主要的參數(shù)列一下,看各位高人有沒有辦法。
主要是一個(gè)多層結(jié)構(gòu),見圖(由于有版權(quán)問題,所以不能顯示結(jié)構(gòu)全圖,抱歉了)
空間波長為7mm,但是金屬層厚度為0.015mm,層間間隔為0.025mm,有多層此種結(jié)構(gòu)。
整個(gè)部件size為 7X5X2mm. 2 pin 共 4 個(gè)i/o口,用lumped port設(shè)置(不能用wave port)
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當(dāng)前的考慮,若考慮到采樣率(PPW - point per wavelength),最小關(guān)鍵尺寸為0。015mm,那么
ppw = 0.015/7 = 470,mesh數(shù)將達(dá)到1.6e9,內(nèi)存需求>2GB,CST2006B不讓算了。
若采用CST example 中的“IC package"方法,ppw = 15, 邊mesh點(diǎn)數(shù)=20, cell size ration = 20;
加上"subgrid" 和 "adaptive mesh",總cell數(shù)降為2e6;但是還是"unstable".
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由于結(jié)構(gòu)復(fù)雜,mesh太密,手工修改mesh沒有意義。

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各位大大,有啥子建議不?


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