HFSS理想磁邊界條件及其設(shè)置操作

        Perfect H是一種理想的磁邊界條件，這種邊界條件的電場矢量與物體表面相切，磁場矢量與物體表面垂直。需要說明的是，在真實(shí)世界中不存在理想磁邊界，它只是理論上的約束條件。在HFSS中靈活應(yīng)用理想磁邊界條件，可以實(shí)現(xiàn)如下兩個重要功能。
        （1）在背景默認(rèn)的理想導(dǎo)體邊界條件上疊加理想磁邊界條件，可以模擬開放的自由空間。
        （2）在理想導(dǎo)體邊界上疊加理想磁邊界將去掉理想導(dǎo)體邊界的特性，恢復(fù)所選擇區(qū)域?yàn)槠湓�先的材料特性；也就相�?dāng)于在理想導(dǎo)體表面上開個口，允許電場穿過。例如，使用該功能可以模擬在地平面上開個孔允許同軸饋線進(jìn)出。
對于理想磁邊界疊加到理想導(dǎo)體邊界的情況，我們也稱之為自然邊界條件。
理想磁邊界條件的設(shè)置操作步驟如下。
        （1）選中需要分配為理想磁邊界條件的物體表面。
        （2）從主菜單欄選擇【HFSS】→【Boundaries】→【Assign】→【Perfect H】操作命令，或者在三維模型窗口內(nèi)單擊鼠標(biāo)右鍵，從彈出菜單中選擇【Assign Boundary】→【Perfect H】操作命令，打開圖示的理想磁邊界條件設(shè)置對話框。

        （3）在該對話框中，Name欄輸入理想磁邊界條件的名稱，默認(rèn)名稱為PerfHn，然后單擊 按鈕，完成理想磁邊界條件的設(shè)置。
        （4）設(shè)置完成后，邊界條件的名稱會自動添加到工程樹中的Boundaries節(jié)點(diǎn)下。