CST：激勵的高斯波在矩形波導(dǎo)中如何傳播？
做CST仿真有一段時間了，電磁相關(guān)的書也看了一些，但對下面的幾個基本概念問題還是
處于模糊狀態(tài)，請論壇的高手不嗇賜教，謝謝先～
1.CST中設(shè)置的高斯波激勵是什么波?
我的理解是：無數(shù)個具有不同傳播方向、場強的平面波疊加組合而成；
2.矩形波導(dǎo)的尺寸如何控制截至頻率?
按照教科書TE10/TE01波的截至波長： λ_c=2*a=5mm ； (a=b=2.5mm，如此設(shè)定是不是無法獲得單模傳輸?)
進而真空中：截至頻率f_c=60GHz，相鄰TM11波的截至頻率f_c=85GHz；（自由空間中啥情況?）
那么高斯波如何激勵才可以得到1～20GHz的S參量?
3.假設(shè)上述設(shè)置得到1～20GHz的單模傳輸高斯波TE10，那么邊界條件如何設(shè)置才能得到電場E沿坐標(biāo)Y軸向線極化，
磁場B沿坐標(biāo)Z軸向線極化?（電磁波沿X軸向傳播）
我根據(jù)前人的經(jīng)驗，施加邊界條件：X方向Open，Y方向電壁，Z方向磁壁，算得的結(jié)果跟文獻(xiàn)是一致的，但我不理解如此施加的邊界條件就可以實現(xiàn)“電場E沿坐標(biāo)Y軸向線極化，磁場B沿坐標(biāo)Z軸向線極化”?
還有假若上述條件實現(xiàn)了，那么做真實試件實驗時如何設(shè)置才能等效為“Y方向電壁，Z方向磁壁”?
“CST中設(shè)置的高斯波激勵”，在時域上是激勵的時域高斯波，在空間分布上是按計算出來模式場空間分布，源激勵要有激勵方向，一般設(shè)置只有一個方向激勵，不是任何方向激勵。
“高斯波如何激勵才可以得到1～20GHz的S參量”，時域高斯波有頻寬的，是根據(jù)高斯脈沖寬度決定的，由你設(shè)定仿真頻寬（1～20GHz）自動設(shè)定高斯寬度。
“X方向Open，Y方向電壁，Z方向磁壁”，是根據(jù)模式場分布的特點來設(shè)定，是虛擬的邊界條件
首先謝謝小編的解答，查了一下相關(guān)資料，還有幾點疑問望您解答：
1.我的理解：在CST中看到的就是一個單周高斯波時域的波形圖，其頻寬=0.318/脈沖上升時間=20GHz(用戶設(shè)置的1～20GHz，CST自動設(shè)定高斯寬度，準(zhǔn)確的說是自動設(shè)定脈沖上升時間)；這樣子理解正確否?
2.您提到：“源激勵要有激勵方向，一般設(shè)置只有一個方向激勵，不是任何方向激勵”；
我的疑問：CST默認(rèn)是是一個方向激勵嗎?（一般做仿真時沒有特別提到設(shè)置激勵，直接就有一個默認(rèn)高斯激勵）
3.您提到：“X方向Open，Y方向電壁，Z方向磁壁”，是根據(jù)模式場分布的特點來設(shè)定，是虛擬的邊界條件；
我的理解：模式場分布的特點（電場E沿坐標(biāo)Y軸向線極化，磁場B沿坐標(biāo)Z軸向線極化），虛擬的邊界條件就是：X方向Open，Y方向電壁，Z方向磁壁，因為據(jù)此邊界條件可以求得上述的模式場分布；是這樣理解嗎?
還有：做試件真實實驗時，由于是把仿真單元做了周期陣列，所以無須考慮施加邊界條件的等效設(shè)置，直接放入波導(dǎo)測試即可（邊界條件僅僅做仿真計算時有用，是虛擬的）；這樣理解?
4.最后一個問題：這個仿真模型我用的波導(dǎo)是正方形波導(dǎo)，這樣子它的截止頻率特性如何?（文獻(xiàn)上正方形波導(dǎo)無法傳輸單模，亦即無用波導(dǎo)。）上述產(chǎn)生的1～20GHz高斯激勵不受截止頻率影響嗎?是不是可以這樣理解：波導(dǎo)在仿真中的作用就是為了削除干擾反射波等信號，得到S參量。
高斯時域脈沖寬度與頻寬的關(guān)系，這在電磁學(xué)書有。
端口激勵方向設(shè)置一般與端口面重合，設(shè)置端口時，就自動設(shè)置了激勵方向
關(guān)于PEC、PMC的對稱場分布可以看微波技術(shù)基礎(chǔ)書，有詳細(xì)介紹
關(guān)于一些知識不是一兩句話能說清楚的，導(dǎo)波場論和微波方面的書有更好的解釋
俺不是電磁相關(guān)專業(yè)的，對參考書籍也不怎么了解，小編如果方便請直接評價：俺的理解和疑問；或者請具體指定一下參考書的版本、章節(jié)也行，實在是不知道查看哪些知識啊。
看來你要學(xué)習(xí)的內(nèi)容還很多啊
看微波技術(shù)基礎(chǔ)方面的書
對啊對啊，以后還請各位多加指教～
這幾天看了一下《信號與系統(tǒng)》，有些問題已經(jīng)有些了解；
還有一個疑問：高斯脈沖的頻寬是不是一般指“3dB帶寬”呢?
