關于CST MWS中Probe的問題
正在學習Probe的使用方法,在論壇里搜到一個帖子“CST中如何利用探針測量反射系數(shù)?”(),從該貼反映的問題來看,Probe似乎記錄的是總場,如果我想獲得金屬物體在平面波激勵下的散射遠場,則應當做兩次仿真,第一次放置金屬物體獲得Probe所在位置的總場,第二次抽去金屬物體獲得Probe所在位置的入射場,前者減去后者即得到散射場。不知這樣的理解是否正確,請教壇中高手。
不懂這個。不過,是一定要用Farfield Probe嗎?可以考慮Farfield/RCS monitor嗎?
時域上的話,應該是可以。
我不懂這個,但是從字面上來看,應該沒錯。。。
用probe記錄的時域信號經(jīng)傅立葉變換后可以觀察到連續(xù)寬頻段上的散射情形,不知Broad Farfield Monitor是不是有類似的功能。我準備嘗試
我不清楚你對散射的定義是什么,CST MWS幫助文件對寬帶遠場監(jiān)視器的解釋:
Broadband: If a farfield monitor was selected in the type frame a broadband farfield can be calculated during the transient solver run. The broadband farfield monitor is based on an expansion of the farfield in terms of spherical waves. The origin of the expansion is the center of the bounding box. It allows to obtain the farfield at any frequency in the specified range as well as at any time of the simulation. Frequency domain and time domain results can be accessed by selecting plots of a broadband farfield monitor and by the plot properties dialog.
我說的散射就是矩量法意義上的散射場??磥韇roadband monitor很有用,我后面會將broadband monitor和probe的結(jié)果進行比較,發(fā)上來大家討論
經(jīng)過簡單的摸索,可以確定CST2009的遠場probe記錄的是散射場(外來入射波照射下)。和farfield monitor、broadband farfield monitor相比, farfield probe可以很方便的觀察某個方向上散射場或RCS的頻響曲線,后者則更適合用來觀察某些離散頻點上的全方位散射場或RCS。當然如果仿真前設置了broadband farfield monitor,仿真后原則上可以提取出任意頻點(在仿真頻段內(nèi))上的散射場,但我在CST的后處理功能里沒有找到自動完成這一任務的操作,因而只能手工提取,比較麻煩。
下面是一個比較broadband farfield monitor和farfield probe的例子,該例子是在CST2009自帶的例子ExamplesMWSTransientRCSPEC Spheresphere.cst基礎上稍作修改而成,模型: (9 K) 21 。仿真中,平面波沿z軸負方向傳播激勵一個PEC球(半徑1厘米),平面波電場沿y方向。將仿真所得broadband farfield各個頻點上的后向散射場手工提取后作于下圖,同一張圖里還給出了farfield probe的頻響曲線,可以看到兩者比較吻合。注, farfield probe的位置在+z軸上距離PEC球心6厘米。
另:CST的近場probe是否也是記錄散射場還有待驗證。
不懂散射理論,友情純頂……。
你的BroadBand farfield monitor是用macros定義的嗎?如果是macros定義的話,你說的那個
仿真后原則上可以提取出任意頻點(在仿真頻段內(nèi))上的散射場
理論上是能出來的
我的BroadBand farfield monitor是在仿真前導航樹中的Field Monitors項里預定義的,用macro定義farfield monitor等同于手動定義farfield monitor。