CST TE波和TM波的邊界條件怎么設(shè)置？

CST TE波和TM波的邊界條件? 大家?guī)椭鹿?p class="mwqa">看樣子你是要算metamaterial...其他的我就看不懂了，更別說回答了。。

這個(gè)問題我是這樣定義的：
首先討論正入射情況下，波傳播方向沿 z 軸， 這樣的話定義的電磁波平面在XY面上，E和H總是正交的，那么反推一下就能得到E和H的方向。
設(shè) E// x 軸，那么選 Ymin和Ymax的 Ht=0（y方向的切向磁場(chǎng)為零，亦即y的切向電場(chǎng)不為零）
再選 Xmin和Xmax的 Et=0（x方向的切向電場(chǎng)為零，亦即x的切向電場(chǎng)不為零）
要弄清楚 y 方向的切向是 x 方向， x 方向的切向是 y 方向，就很容易明白了。

同理，E // y 軸，那么選 Xmin和Xmax的 Ht=0；Ymin和Ymax的 Et=0.

斜入射的話，把樣品（結(jié)構(gòu)）轉(zhuǎn)一下角度就可以了。

樓上所說的就是在Floquet模還沒有引入以前使用的波導(dǎo)模擬器。波導(dǎo)兩個(gè)面是PEC，另兩個(gè)面是PMC。一個(gè)模式仿真完成后再交換PEC和PMC，仿真另一個(gè)模式，激勵(lì)使用波導(dǎo)端口。這種結(jié)構(gòu)只能仿真正入射，不能仿真斜入射。因此樓主的問題最好使用周期邊界條件和Floquet模。

能不能用周期邊界還要看具體想仿真什么東西

是滴呵呵

我的理解也是這樣的，補(bǔ)充下Zmin和Zmax設(shè)置open

斜入射我不認(rèn)為那樣可以解決，因?yàn)檗D(zhuǎn)樣品的同時(shí)，波導(dǎo)激勵(lì)端口也跟著轉(zhuǎn)了，所以還是正入射。不過我也不會(huì)模擬斜入射。有朋友知道可以討論一下。。。

至于周期性邊界條件，我從沒有設(shè)置過，因?yàn)樵O(shè)置了周期條件，那E和H的方向就沒法設(shè)置了，所以我通常手動(dòng)復(fù)制10X10個(gè)單元來仿周期問題。

如果是仿真無限大的周期平面是可以使用unit cell邊界的，并可以在設(shè)置邊界條件的時(shí)候設(shè)置入射方向

unit cell邊界只能使用頻域算法哦

這樣一來斜入射和周期邊界的問題確實(shí)解決了，但入射波的偏振態(tài)就沒法設(shè)置了啊？