CST TE波和TM波的邊界條件怎么設(shè)置？
CST TE波和TM波的邊界條件? 大家?guī)椭鹿?p class="mwqa">看樣子你是要算metamaterial...其他的我就看不懂了，更別說回答了。。
這個問題我是這樣定義的：
首先討論正入射情況下，波傳播方向沿 z 軸， 這樣的話定義的電磁波平面在XY面上，E和H總是正交的，那么反推一下就能得到E和H的方向。
設(shè) E// x 軸，那么選 Ymin和Ymax的 Ht=0（y方向的切向磁場為零，亦即y的切向電場不為零）
再選 Xmin和Xmax的 Et=0（x方向的切向電場為零，亦即x的切向電場不為零）
要弄清楚 y 方向的切向是 x 方向， x 方向的切向是 y 方向，就很容易明白了。
同理，E // y 軸，那么選 Xmin和Xmax的 Ht=0；Ymin和Ymax的 Et=0.
斜入射的話，把樣品（結(jié)構(gòu)）轉(zhuǎn)一下角度就可以了。
樓上所說的就是在Floquet模還沒有引入以前使用的波導模擬器。波導兩個面是PEC，另兩個面是PMC。一個模式仿真完成后再交換PEC和PMC，仿真另一個模式，激勵使用波導端口。這種結(jié)構(gòu)只能仿真正入射，不能仿真斜入射。因此樓主的問題最好使用周期邊界條件和Floquet模。
能不能用周期邊界還要看具體想仿真什么東西
是滴呵呵
我的理解也是這樣的，補充下Zmin和Zmax設(shè)置open
斜入射我不認為那樣可以解決，因為轉(zhuǎn)樣品的同時，波導激勵端口也跟著轉(zhuǎn)了，所以還是正入射。不過我也不會模擬斜入射。有朋友知道可以討論一下。。。
至于周期性邊界條件，我從沒有設(shè)置過，因為設(shè)置了周期條件，那E和H的方向就沒法設(shè)置了，所以我通常手動復制10X10個單元來仿周期問題。
如果是仿真無限大的周期平面是可以使用unit cell邊界的，并可以在設(shè)置邊界條件的時候設(shè)置入射方向
unit cell邊界只能使用頻域算法哦
這樣一來斜入射和周期邊界的問題確實解決了，但入射波的偏振態(tài)就沒法設(shè)置了?。?/p>
