CST MWS不均勻介質(zhì)waveport怎么設(shè)置？

小弟有段時(shí)間沒(méi)用CST了 感覺(jué)有些東西陌生了很多。
CST不均勻介質(zhì)微帶線(xiàn)處的waveport怎么添加呢？ 在給出的2D result里模式分布很明顯不是我想要的模式，并且隨頻率的升高，場(chǎng)逐漸束縛在高Er介質(zhì)部分。這個(gè)結(jié)果同hfss的waveport模式分布出入很大，個(gè)人認(rèn)為hfss的waveport分布是準(zhǔn)確的，同理論的微帶場(chǎng)分布相似。
求教各位大俠，CST的這種微帶端口采取什么措施，能進(jìn)行場(chǎng)分布的篩選，得到自己想要的模式。

沒(méi)有人遇到過(guò)類(lèi)似問(wèn)題嗎？

沒(méi)有……。

確認(rèn)端口設(shè)置沒(méi)錯(cuò)誤？

沒(méi)有錯(cuò)誤 由于模型比較比較復(fù)雜 不方便上傳
感謝兩位版主了 你們可以試試不均勻substrate微帶的port加法 substrate包含4種material , thickness都很?。╩icron級(jí)別），四層layer的Dk值4.4-11.7不等，中頻60GHz, ，由port處的場(chǎng)分布，可以看到port的E-field隨頻率變化很大