CST MWS Coupled Microstrip波導(dǎo)端口設(shè)置求助 EDATOP請(qǐng)進(jìn)
模型細(xì)節(jié)如下：此為一個(gè)Microstrip的結(jié)構(gòu). 前邊為焊盤.后面為差分對(duì)的Trace.四層板.（上下兩層為信號(hào).中間兩層為GND(藍(lán)色和綠色)
現(xiàn)在想仿真圖中Port1對(duì)Port5， 和Port1對(duì)Port3的NEXT. 同時(shí)也要查看SCD21，SDD21等參數(shù).
模型看了一下，不明白為什么要把網(wǎng)格設(shè)置得那么小，光是預(yù)設(shè)置那些就花了快40分鐘，45分鐘的是候沒看到有unstable，我就先停了，等不起。
關(guān)于端口提示inhomogeneous，這個(gè)是由你的模型決定的，端口處除了信號(hào)耦合微帶線，兩側(cè)有地，中間有介質(zhì)，上面有空氣，肯定inhormogeneous。
如果是warning，在可以證明不影響最終結(jié)果的前提下，可以忽略。
耦合微帶，差模激勵(lì)條件下設(shè)計(jì)的阻抗是多少？97或者40哪個(gè)更接近就說明另一個(gè)很可能是錯(cuò)誤的結(jié)果。
關(guān)于離散端口，如果仿真目的是看NEXT、TCL和IL，如果模型尺寸已經(jīng)固定，看端口阻抗的意義是什么？
謝謝老大這么晚還來解答!
網(wǎng)格的設(shè)置是用的CST里 EDA template的網(wǎng)格設(shè)置. 初學(xué)CST。還請(qǐng)多多指教.
耦合微帶，差模激勵(lì)條件下設(shè)計(jì)的目標(biāo)阻抗是100ohm. 但是現(xiàn)在由于Pad 的寬度和間距限制（尺寸已經(jīng)不能更改）. 阻抗是在40ohm.用阻抗計(jì)算軟件也是在40ohm.
所以只能挖空下面的GND去提高阻抗..挖空之后.阻抗是在97ohm.，但是無法仿真.
1. 對(duì)于這樣的結(jié)構(gòu)，可否用Mulitpin 波導(dǎo)端口去做仿真?
2. 如可以，端口大小該如何設(shè)置? 如果按照10H, 和10W，去設(shè)置, 兩個(gè)相鄰的端口會(huì)有疊加。 導(dǎo)致不能仿真.
3.用離散端口后，發(fā)現(xiàn)Return loss會(huì)比較大，所以想去看看端口阻抗是否匹配.
下面是離散端口的結(jié)果。
從Time from S 參數(shù).的TDR, 阻抗的起點(diǎn)60ohm, 和波導(dǎo)端口差異較大，不知道以那個(gè)為準(zhǔn).還請(qǐng)幫忙看看.
你的Mesh line ratio limit設(shè)置成100，因此minimum mesh step只有0.01，會(huì)導(dǎo)致仿真速度極其緩慢。CST MWS幫助文件《Transient Solver Performance Improvements》。
理論上Multipin Waveguide Port是最適合做這種仿真的，但是如果端口處模型太復(fù)雜，或者模型已經(jīng)不具備Multipin waveguide port設(shè)置共模模式，那么就只能考慮離散端口。
離散端口的結(jié)果是用在哪個(gè)模型里的，40還是97？離散端口的端口阻抗是多少？
Mesh line ratio limit已經(jīng)設(shè)置為10。10,，10 的參數(shù).
40和97都有試過.
1.40ohm
2. 97ohm
離散端口需要在RUN完S參數(shù)后，才能知道阻抗。 可否先通過其它辦法先計(jì)算阻抗
離散端口的端口阻抗是50ohm. DS 里的為100ohm.
沒看明白是什么意思。如果設(shè)計(jì)的阻抗是100，為什么離散端口不用100？
離散端口是怎么接到模型上的？DS的連接圖是什么？
離散端口阻抗50
連接圖
連接圖中port1 的差模為100ohm。共模為25ohm。
離散端口接法
不擠牙膏了，要不然會(huì)一直擠下去的……
如果關(guān)心的是“為什么離散端口計(jì)算得到的TDR起點(diǎn)端口阻抗和波導(dǎo)端口的結(jié)果不一致”，那么樓主為什么覺得他們必須是一致的？
假設(shè)仿真一個(gè)很“正規(guī)”的傳輸線結(jié)構(gòu)，用離散端口和波導(dǎo)端口計(jì)算得到的TDR一致嗎？我不知道答案，樓主知道嗎？
這個(gè)真的不太清楚.
那我將離散端口的TDR起點(diǎn)端口阻抗通過挖銅的方法調(diào)到100ohm（因DS里差模設(shè)置為100ohm，測(cè)試系統(tǒng)也是100ohm），是否會(huì)對(duì)Return loss有較好的匹配？
1,如果我用離散端口的話?？煞裣戎雷杩故欠褚呀?jīng)調(diào)節(jié)OK, 不用去跑S參數(shù)后才能知道, 不知道老大有沒有什么好的辦法.
2.如果離散端口的起點(diǎn)調(diào)節(jié)到100ohm. 是否和實(shí)際測(cè)試的值接近，或者誤差很小.
老大，現(xiàn)在很迷茫，還請(qǐng)多多包涵。
謝謝先
我很少研究TDR，所以不了解TDR方面的相關(guān)知識(shí)。只不過經(jīng)驗(yàn)中離散端口和波導(dǎo)端口方針傳輸線結(jié)構(gòu)在低頻部份不一致，不確定對(duì)時(shí)域方面的影響是什么。
關(guān)于輸入阻抗，可以把模型簡(jiǎn)化為純耦合傳輸線，用波導(dǎo)端口就可以計(jì)算mode properties，得到line impedance。
關(guān)于實(shí)測(cè)，我沒有測(cè)過TDR，不了解起點(diǎn)調(diào)節(jié)到100的意義是什么。
