CST仿真連接器的屏蔽效能問題
問題描述：
同軸連接器的外導(dǎo)體上有一個縫隙，在縫隙處加了個屏蔽簧片，用CST MWS 計算外部探針處有無屏蔽措施的屏蔽效能。
計算方法：
我的計算方法是：信號從兩個端口輸入，輸出。在連接器的屏蔽片外加了個探針，計算泄漏信號Y方向上的電場強(qiáng)度。
如果兩種情況下，有屏蔽片的電場強(qiáng)度小于無屏蔽片的電場強(qiáng)度，這是否說明屏蔽措施有效？
屏蔽效能是否可以通過模板計算，即將其dB形式的結(jié)果相減即可。
（根據(jù)概念：屏蔽效能是無屏蔽體時空間某點(diǎn)的電場強(qiáng)度與有屏蔽體時該點(diǎn)電場強(qiáng)度的比值。）
疑問：
1 我的方法是否正確？
2 仔細(xì)看了版主lantianyi 和管理員EDATOP的幾個關(guān)于SE的解答，發(fā)現(xiàn)還加了平面波信號源。而且有兩個探針。
如果需要這樣做，在連接器內(nèi)部如何加平面波信號源，還有一個探針放哪？
3 版主和管理員是否可以用CST MWS做一個關(guān)于信號屏蔽和效能的教程，MS工作室貌似大家用的較少，做一個勝造7級浮屠啊，呵呵！1
我沒做過這個，希望大家能幫幫忙，非常感謝！
描述:模型zip文件
下載下來看了一下，有這么幾個問題：
1、邊界條件似乎不該用電壁，因?yàn)檫@樣形成的是一個腔體，如果是屏蔽效能的話，最起碼除了端口的幾個邊界應(yīng)該是open。
2、看你的意思仿真的比較對象應(yīng)該是沒有屏蔽體的結(jié)果，這個屏蔽體是啥？就是外壁？還是其他的什么？你要自己知道沒有屏蔽體的仿真該怎么做，我看要是外壁就是屏蔽體，這個端口再怎么加啊。注意：屏蔽效能，一定要在保證除了“屏蔽”外其他條件均一樣，包括激勵，邊界條件，仿真時間。
3、如果用平面波激勵，不是在你的物體內(nèi)部，而是在外部加平面波。
4、用模板相減的方法是對的，關(guān)鍵如我第2點(diǎn)所說，得找好比較對象。
5、請上傳zip文檔，原因我就不想說了。版內(nèi)有公告。
非常感謝版主的及時回復(fù)！
屏蔽簧片是屏蔽體！
模型仿真的主要目的是想看，連接器在電磁信號通過時，從外導(dǎo)體上空氣縫隙的泄漏量有多大（此時，屏蔽簧片可當(dāng)做空氣）；加了屏蔽簧片后，泄漏的信號是否有所減弱。
1、邊界條件改為了open，端口為electrical，效果差不多。
在仿真的過程中，用open add space 試了下，發(fā)現(xiàn)探針處的電場強(qiáng)度為0，不知為什么。所以后來改為了電邊界。
2、屏蔽簧片是屏蔽體！端口是waveguide port加在連接器兩端，我想應(yīng)該有信號泄漏出來。
3、如果不在物體內(nèi)部加信號源，怎么看信號泄漏。
信號從外部耦合進(jìn)入物體內(nèi)部的情況與信號從物體內(nèi)部泄漏出去的情況應(yīng)該不同吧。物體和環(huán)境也不是完全對稱！
（我想在外部加平面波信號源，是看屏蔽機(jī)箱免受外部信號的干擾）
4、根據(jù)概念：屏蔽效能是無屏蔽體時空間某點(diǎn)的電場強(qiáng)度E(或磁場強(qiáng)度H)與有屏蔽體時該點(diǎn)電場強(qiáng)度E (或磁場強(qiáng)度H)的比值。
所以更改簧片的材料，作了兩次仿真，進(jìn)行對比。
5、修改上傳文檔，謝謝提醒。
期待各位的意見，謝謝阿！
版主lantianyi,你的老帖子里有段話，能解釋下為什么要做傅立葉變化么？
1、電場探針是0的原因很明顯，因?yàn)樗幍奈恢脹]有電場！而到底為什么沒有場，我希望你能自己想一下可能性，這在實(shí)際中應(yīng)當(dāng)是有的，但是仿真出來沒有，為什么？
2、沒錯，會有場泄漏出來，理論上，實(shí)際上，卻不是你的仿真上。
3、確實(shí)有不同，但是屏蔽效能這個定義本身，其實(shí)就是在一個特定情況下的定義，比如水平極化下的屏蔽效能，垂直極化下的屏蔽效能。而內(nèi)部源的激勵，總是能分解成垂直和水平分量，這個要靠大量的工程經(jīng)驗(yàn)來看了，我沒做過工程，所以不能說太多不專業(yè)的話，但是至少我做的外部源激勵，也是能被需方認(rèn)可。
4、通常來說，都是比較頻域上的電場強(qiáng)度，而非時域，因此時域信號要先傅立葉變換。
希望對你有所幫助。我的能力也基本就到這個層面了。
版主，請問：
2、沒錯，會有場泄漏出來，理論上，實(shí)際上，卻不是你的仿真上。
這句話的意思是在我的仿真上，不可能有信號泄漏出來嗎？為什么？
在外導(dǎo)體中部有個空氣縫隙，屏蔽簧片上也有空氣槽，為什么會仿真不出來？
關(guān)于1、明天去公司在看看
這兩天搞這個，看了網(wǎng)內(nèi)的多個帖子，弄懂了一些概念，有些收獲，網(wǎng)站的氛圍不錯，感謝版主。
1和2是一個問題，看來你沒弄明白。
確實(shí)還沒整明白
早上仿了下，發(fā)現(xiàn)與網(wǎng)格設(shè)置有關(guān)。
將網(wǎng)格加密后，探針處可測得泄漏電場。
對于在外部加平面波信號，看屏蔽體內(nèi)的信號進(jìn)行對比，這種方法也是一種測屏蔽泄漏的方法。（查資料得知）
在連接器和電纜組件的電磁泄漏測試中，稱為GTEM小室法，即G赫茲橫電磁波室測試法。
我會按你說的做一遍，謝謝！
用平面波源試了下，輸入，輸出端口面改為open邊界，有報警。
兩次計算結(jié)果基本接近，是不是兩個端口要封閉起來？
斑竹有提示沒？
有時間看下這篇文章嗎？
圖5和圖6 是射頻泄漏的仿真
不知道怎么弄得？
