基于CST MWS的PCB之差分對(duì)SI仿真

本人對(duì)PCB板的一對(duì)差分對(duì)進(jìn)行SI仿真，分別進(jìn)行單端口設(shè)置和差分形式設(shè)置這兩種方式進(jìn)行仿真，發(fā)現(xiàn)仿真得出的S參數(shù)有挺大的區(qū)別。
我分別做了以下三種仿真：
1.單端口設(shè)置時(shí)，選擇差分對(duì)USB+、USB-、GND
2.差分形式設(shè)置時(shí)，選擇差分對(duì)USB+、USB-
3.差分形式設(shè)置時(shí)，選擇差分對(duì)USB+、USB-、GND
通過(guò)以上三種仿真發(fā)現(xiàn)得出的S參數(shù)都不相同，各仿真時(shí)，端口的阻抗我都確認(rèn)過(guò)沒(méi)有問(wèn)題，網(wǎng)格設(shè)置也是一致的。
出現(xiàn)這樣的結(jié)果讓人很困惑，特向本站高手請(qǐng)教：在做差分對(duì)SI仿真時(shí)，在差模激勵(lì)下，到底要不要選擇GND？據(jù)CST官網(wǎng)介紹是不選ＧＮＤ的，如果不選ＧＮＤ的話(huà)，導(dǎo)入到ＭＷＳ中的模型是沒(méi)有GND層的，這跟實(shí)際也是不相符的。因?yàn)閷?shí)際中GND的存在對(duì)差分對(duì)的ＳＩ肯定是有幫助的。
望高手幫我解答一下！感謝！

模型，起碼有個(gè)截圖也是好的啊

不好意思，沒(méi)上截圖，點(diǎn)擊這個(gè)鏈接/read.php?tid=75947　可以查看詳細(xì)的模型。感謝！

如果是純粹的差模，根本就沒(méi)有“地”的概念，當(dāng)然不需要GND。
如果GND對(duì)性能有很大影響，說(shuō)明模型的共模特性不可以忽略。
所以在假設(shè)樓主的模型參數(shù)沒(méi)有問(wèn)題的前提下，樓主的模型需要考慮的是混合模式，而不是純粹的差模。

那就是所對(duì)于一塊實(shí)際的PCB在進(jìn)行差分對(duì)SI仿真時(shí)，如果采用差分端口形式而不是單端口形式的話(huà)，然后又需要考慮差模和共模的情況，那么就需要勾選GND，他它一起加入到仿真模型中，是這樣理解嗎？
感謝你的解答，受教了！

是不是GND層對(duì)差模的場(chǎng)有影響？

我感覺(jué)是有影響的，我對(duì)同樣的模型和同樣的網(wǎng)格設(shè)置分別進(jìn)行了仿真，有GND和沒(méi)有GND的情況下，得出的同一端口的S11不一樣。