半導(dǎo)體耗盡層的介電模型如何建模？

模擬下述文獻(xiàn)仿真時遇到問題：半導(dǎo)體的耗盡層用什么介電模型來建模？有人說用真空，覺得不對，里面物質(zhì)結(jié)構(gòu)和真空不同啊。

是用什么軟件仿真的？

用CST仿真,有懂的不？　希望給點(diǎn)建議啊。

原始文獻(xiàn)里用FDTD仿真，改用CST應(yīng)該也可以的