CST建立新材料如何設(shè)置elsilon和mue

本人想做個(gè)簡(jiǎn)單的涂覆材料仿真，典型RAM的電磁參數(shù)中epsilon和mue是復(fù)數(shù)，而CST材料設(shè)置中的epsilon和mue似乎都沒有虛數(shù)部分，請(qǐng)問有沒有做過類似的仿真呢，這部分材料的設(shè)置要怎么設(shè)才合理？

如果你要輸入復(fù)數(shù)的Permittivity和Permeability，那需要將他們的虛部換算成損耗角（Loss Tangent）。
之后，在材料的Conductivity里面的tangent delta electric和tangent delta magnetic里面填上對(duì)應(yīng)的數(shù)值。
如果損耗角隨頻率的變化非常明顯，那你需要設(shè)置Dispersion。

十分感謝！

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