用CST仿真周期性超材料結構的時候，如何改變極化角？

請教，用CST仿真周期性超材料結構的時候，如何改變極化角？
1） 時域仿真，設置電邊界和磁邊界，畫出多個單元結構，如5x5, 旋轉樣品或是在波導端口里面設置極化角，結果總是有問題；
2）頻域有unit cell邊界條件仿真，可以改變極化角，但是無法濾波，振蕩太多。

你要怎么濾波？

例如，以25um厚的polyimide為襯底，上面刻周期性超材料結構，可以用頻域仿真設成unit cell 邊界條件，得到S參數(shù)；如果以500um厚的高阻硅為襯底刻周期性超材料結構，用頻域仿真設成unit cell 邊界，得出的S參數(shù)會振蕩太多，這是由硅襯底引起的的法布里帕羅振蕩。用時域仿真可以濾除掉后面的振蕩信號，但是沒法改變極化角。
我想得到的是以硅為襯底的超材料，改變極化角得到不同的S參數(shù)。

例如，以25um厚的polyimide為襯底，上面刻周期性超材料結構，可以用頻域仿真設成unit cell 邊界條件，得到S參數(shù)；如果以500um厚的高阻硅為襯底刻周期性超材料結構，用頻域仿真設成unit cell 邊界，得出的S參數(shù)會振蕩太多，這是由硅襯底引起的的法布里帕羅振蕩。用時域仿真可以濾除掉后面的振蕩信號，但是沒法改變極化角。
我想得到的是以硅為襯底的超材料，改變極化角得到不同的S參數(shù)。