CST MWS中用TDR對(duì)微帶線計(jì)算的問(wèn)題
最近在看MWS中TDR的問(wèn)題，不是很懂，仿了一個(gè)簡(jiǎn)單的微帶線的TDR但是一直沒(méi)得到正確的結(jié)果，請(qǐng)高手幫我看看，模型如下，background material 怎么設(shè)置啊，boundary conditions又怎么設(shè)置，還想請(qǐng)EDATOP幫我看下下，謝謝啦
你把邊界條件設(shè)為OPEN，波導(dǎo)端口設(shè)置成整個(gè)側(cè)面試試。
結(jié)果仿出來(lái)是這樣，
這樣好像不對(duì)把，1，兩端我用微帶線軟件算過(guò)都是50歐姆的，2，微帶線是三部分組成，其中兩端寬度是一樣的，所以應(yīng)該是一樣的阻抗啊，但是放出來(lái)兩端不一樣啊
樓主的模型：
仿真參數(shù)的設(shè)置都正常，normal的背景材料，單位正常，邊界條件為electric：
這里我設(shè)置了YZ面的對(duì)稱(chēng)面。
按照個(gè)人習(xí)慣，Global mesh properties設(shè)置為10、10、10，取消metal edge refinement factor，time domain solver accuracy設(shè)置為-80 dB，激活energy based adaptive mesh refinement，仿真得到的端口參數(shù)：
端口line impedance為57.45歐姆。S參數(shù)：
Field energy：
和樓主仿真的結(jié)果相比，兩端的TDR （from time signal）一致，而且等于端口line impedance。
霸氣，高手就是高手，求帶啊啊，，謝謝你這么詳細(xì)的步驟，不甚感激。
幾個(gè)問(wèn)題還麻煩你看看，
1，邊界的設(shè)置問(wèn)題，為什么要設(shè)置電壁邊界呢？
2，你設(shè)置的時(shí)候，模型的一半設(shè)置成電壁然后用一個(gè)磁壁是為什么？減少運(yùn)算量？
3，用TDR時(shí)候，你仿的時(shí)候也是0到8G把，為什么你仿出來(lái)可以到0，63ns，我仿的時(shí)候只有0.5ns了。
1. Electric的邊界是你設(shè)置的，不是我設(shè)置的……。話說(shuō)回來(lái)，這種模型設(shè)置open或者close的邊界都可以，不過(guò)設(shè)置成open需要給waveguide port添加shielding，步驟麻煩。
2. 是的，使用一個(gè)對(duì)稱(chēng)面減少一半計(jì)算量。
3. 這個(gè)我就不知道了，沒(méi)研究過(guò)TDR，所有的后處理計(jì)算都是軟件自己完成的。
你好，你能把你設(shè)置好的模型發(fā)給我看看嗎，我改了設(shè)置，還是沒(méi)能得到你那樣的結(jié)果，謝謝
你的CST是2013嗎？如果不是，你可能打不開(kāi)我發(fā)給你的文件。
試試看以下的步驟：
1. 在time domain solver (transient solver) parameter里面勾選adaptive mesh refinement，確定自適應(yīng)優(yōu)化使用的是energy based算法不是expert system算法。
2. Time domain solver的accuracy選-80 dB。
都13了，我還是2011的，打不開(kāi)啊，我都按你步驟設(shè)置了，就取消metal edge refinement factor沒(méi)找到，請(qǐng)問(wèn)這個(gè)在哪個(gè)選項(xiàng)里設(shè)置，謝謝
在mesh property裡面有一個(gè)setting(具體名稱(chēng)忘了)
點(diǎn)進(jìn)去裡面可以選擇refinement factor
可以取消或打勾
仿真時(shí)間是取決於你應(yīng)該準(zhǔn)確度是設(shè)定成默認(rèn)的-30db
而大神是設(shè)定成-80db
