周期結(jié)構(gòu)中加入二極管等單向元件

需要建立一個(gè)帶有二極管的期結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)很簡(jiǎn)單如下圖所示：

環(huán)外徑是15mm，結(jié)構(gòu)為17mm*17mm，環(huán)寬1mm；加載二極管處缺口為2.45mm。
應(yīng)用頻域仿真時(shí)，2013版會(huì)出現(xiàn)集總元件中只有串聯(lián)和并聯(lián)的RLC是有效的，不能加載二極管。在時(shí)域求解器中可以加二極管，現(xiàn)在的問題是：
1.使用時(shí)域求解器時(shí)設(shè)置成周期邊界，會(huì)出現(xiàn)一個(gè)網(wǎng)格屬性設(shè)置的問題，將Mesh type由默認(rèn)改成FPBA錯(cuò)誤會(huì)消失，仿真得出的結(jié)果感覺不太對(duì)，不知道是不是還有什么設(shè)置需要修改？
2.應(yīng)該選擇什么樣的激勵(lì)？（我要設(shè)置的zmax和zmin端口極化不同，成45度夾角。）
3.環(huán)上的表面電流是不是還需要重新設(shè)置平面波激勵(lì)才能看？

看懂這篇 Application note 你就會(huì)理解，而且是真正的理解。
擁有資料不稀奇，能吸收才是重點(diǎn)!

不知道樓主說的是不是這個(gè)

資料沒看明白啊！

foxman:看懂這篇 Application note 你就會(huì)理解，而且是真正的理解。
有源結(jié)構(gòu)
Faraday Rotation by Arti?cial Electric Gyrotropy.pdf
（文獻(xiàn)比較長(zhǎng)，大家看模型和場(chǎng)分布就好了）
問題有兩個(gè)：
1）是文獻(xiàn)1中如何用CST仿真帶有FET的隔離器和環(huán)形器，特別是圖14，是不是需要用設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)室和微波實(shí)驗(yàn)室聯(lián)合仿真；
2）文獻(xiàn)2中的有源結(jié)構(gòu)能不能用CST仿真一個(gè)無限大的模型，該怎么做呢？

這個(gè)我試過了，在unit cell+f中不能加入二極管，非常感謝幫忙

資料是兩種仿真周期結(jié)構(gòu)的方法，波導(dǎo)法和floquet端口法，論壇上也有相關(guān)的貼子可以去學(xué)習(xí)一下哈。感謝交流