平面波和excitation signal之間的區(qū)別和聯(lián)系

我在仿真一個腔體的屏蔽效能時，干擾源設(shè)置為平面波，在腔體內(nèi)部添加一個監(jiān)測點。在excitation signal中，可以選擇不同的激勵源信號，并且還可以自定義激勵源信號。設(shè)置不同的激勵源信號則會在監(jiān)測點處得到不同的電場值。我想問的是：
平面波和excitation signal對于干擾源的描述有什么不同?為什么選擇不同的excitation signal會導(dǎo)致不同的電場值?
謝謝大家的解答

不懂，來學(xué)習(xí)。

平面波表征的是電磁波的傳播特性，具體的電場和磁場值還得由具體的激勵信號源決定，選擇不同的激勵信號電場值肯定不同。在仿真屏蔽效能時，選擇默認(rèn)的高斯脈沖，采用TLM算法。這種情況新，TLM算法會默認(rèn)你仿真的頻段內(nèi)所有的頻率的電場幅值是1，最后仿真得到監(jiān)測點的電場幅值后直接取倒數(shù)再取db就可以得到屏蔽效能，因為不加屏蔽的話監(jiān)測點的電場幅值應(yīng)該是1。當(dāng)激勵信號不采用高斯脈沖時，由于不加屏蔽時監(jiān)測點的電場幅值不一定為1，因此不能直接對結(jié)果直接取倒數(shù)，這是可以先將屏蔽箱體設(shè)置為空氣，仿真得到屏蔽前的監(jiān)測點電場幅值；在改變屏蔽體的材料屬性仿真得到屏蔽后的監(jiān)測點電場幅值，最后兩個結(jié)果取db做差就可以得到屏蔽效能了。
我是這么理解的，可能有錯誤。僅供參考

我也是這么理解的
現(xiàn)在遇到另一個問題，我設(shè)置一個200×200×200的真空正方體。平面波設(shè)置幅值為1，邊界采取open邊界，在平面波入射的地方也就是真空邊界處設(shè)置觀測點，并在真空正方體中心也設(shè)置觀測點。結(jié)果顯示，真空邊界處觀測點處電場值大約是0.85，這個為什么不是1?真空正方體中心處的觀測點的電場值大約是0.65，為什么也不是1而且還衰減那么嚴(yán)重?

我也是這么理解的
現(xiàn)在遇到另一個問題，我設(shè)置一個200×200×200的真空正方體。平面波設(shè)置幅值為1，邊界采取open邊界，在平面波入射的地方也就是真空邊界處設(shè)置觀測點，并在真空正方體中心也設(shè)置觀測點。結(jié)果顯示，真空邊界處觀測點處電場值大約是0.85，這個為什么不是1?真空正方體中心處的觀測點的電場值大約是0.65，為什么也不是1而且還衰減那么嚴(yán)重?求解答

我剛試了下確實有這個問題，這個我也不懂。實在不行就用第二個方法，先把屏蔽材料設(shè)置成空氣求屏蔽前的電場值，在修改參數(shù)求屏蔽后的，再計算屏蔽效能。
我cst也是新手哈，僅供參考。