CST仿真實(shí)例：太陽(yáng)能薄膜頻譜吸收率
太陽(yáng)能薄膜的功率吸收可用光頻電磁波在介質(zhì)材料中的損耗來(lái)計(jì)算。本案例計(jì)算非晶硅的功率吸收，然后考慮真實(shí)太陽(yáng)頻譜，計(jì)算有效吸收頻譜。
用太陽(yáng)能單元模板，時(shí)域求解器：
材料庫(kù)提取四個(gè)材料，非晶硅（a-Si）, 氧化鋅（ZnO）,銀（Silver）和氧化銦錫（Indium Tin Oxide。需要安裝好CST材料拓展包?！?/p>
添加一個(gè)玻璃材料：
下面建模，先畫銀底，對(duì)齊WCS，然后畫個(gè)二維金屬，選中表面：
用Extrude拉成梯形：
將三個(gè)部分相加成一個(gè)：
然后復(fù)制上移，材料為氧化鋅，先不做布爾運(yùn)算。
將氧化鋅復(fù)制上移，材料為非晶硅，不做布爾運(yùn)算。
將非晶硅復(fù)制上移，材料為氧化銦錫，trim三次就只保留最上層的氧化銦錫。
最后檢查之前的重疊，判斷高亮點(diǎn)部分和另外一個(gè)的關(guān)系，選擇insert或trim，最后形成四層的結(jié)構(gòu)。
截面是這樣的：
將WCS貼到上方，畫玻璃方塊作為表層：
邊界是電和磁，中間可添加電和磁對(duì)稱：
添加端口：
添加E場(chǎng)監(jiān)視器：
加密網(wǎng)格：
求解器開始:
仿真結(jié)束后，power loss可見非晶硅為主要的吸收電磁波功率的材料，端口激勵(lì)為0.5 W均值，所以總體的吸收率還是比較高的：
下面我們導(dǎo)入太陽(yáng)頻譜數(shù)據(jù)：
數(shù)據(jù)本身是歸一化的，橫坐標(biāo)是波長(zhǎng)（納米）：
將該數(shù)據(jù)與我們的功率吸收曲線相乘，即可得到有效的太陽(yáng)能吸收率了：
小結(jié)：
1. 太陽(yáng)能薄膜作為光學(xué)元件仿真的一類，CST有模板可用。
2. E場(chǎng)監(jiān)視器計(jì)算介質(zhì)損耗就夠。
3. 太陽(yáng)頻譜數(shù)據(jù)網(wǎng)上有。
