關(guān)于“印制板上單線三米法輻射場（RE）仿真”的問題

各位大俠好，想必大家也看過“印制板上單線三米法輻射場（RE）的精確仿真”這個算例，是deguo 大俠分享的，這里先謝謝deguo 大俠！
我是新手，有一點(diǎn)不明白：
算例中的端口1加在導(dǎo)線和地平面之間，作為電壓源激勵，這個我弄好了，但是端口2不知道怎么設(shè)置，我有倆問題：
1、端口2如何設(shè)置，設(shè)置成什么類型的?
2、端口2和地之間加4pF的電容又是怎么加的呢?
希望知道的大俠指點(diǎn)，萬分感謝！

1、沒說要設(shè)置端口2啊，只是為了便于區(qū)別，將印制線的兩端稱作（1）端和（2）端
2、電容，就是集總器件，在菜單solve->lumped element

哦，按照您說的搞好了，多謝大俠指點(diǎn)。
另外，我還想請教一個問題，我自己仿真一個8層板上一段時鐘走線的輻射，大體如下：
1、我先將無關(guān)的網(wǎng)絡(luò)、元件、疊層都刪除，然后用slice功能把多余的部分切掉只剩下關(guān)心的部分（整個模型區(qū)域大小在毫米量級），然后在時鐘走線起始端和參考地之間設(shè)置電壓源、在時鐘走線末端和參考地之間設(shè)置50歐姆阻抗，該時鐘網(wǎng)絡(luò)上還有幾個集總的阻容器件；最后的模型包含時鐘走線、時鐘走線的三個參考平面層、相應(yīng)的介質(zhì)層，如圖；
2、該時鐘走線頻率是26M，所以我設(shè)置頻率為25.9到26.1；
3、我將邊界條件設(shè)置為open（add space）；
4、我想觀察電流密度，所以在field monitor里選擇current density；
5、用Transient計算時，錯誤提示 ，大意是說集總參數(shù)器件被當(dāng)成了單個的點(diǎn)，讓把mesh line ratio增大，我從初始值的100增大到1500錯誤才消失；
6、但此時又提示說計算量太大建議優(yōu)化，我也不知道該怎么優(yōu)化了，結(jié)果計算了一下午才3%，實(shí)在受不了，我電腦的內(nèi)存是4G的；
大俠你看有什么問題：是我模型太復(fù)雜?還是網(wǎng)格劃分有問題?還是邊界條件設(shè)置的問題?還是頻率太低不適于計算?還是不該選擇Transient方法?
耗費(fèi)了兩天也沒琢磨出門道來，希望大蝦指點(diǎn)，萬分感謝！