CST MS中電流仿真結(jié)果的理解

在CST MS工作室中做電流仿真，計(jì)算出的結(jié)果 H-field 單位為A/m，我理解H沿著導(dǎo)體橫截面邊界曲線的積分就是通過此截面的電流。但如果給一個(gè)金屬平板的一邊注入電流，另一邊接地，在平板上中心挖空一塊補(bǔ)上絕緣材料，在平板上方及絕緣材料上設(shè)置監(jiān)測(cè)點(diǎn)，按道理這些位置應(yīng)該沒有電流才對(duì)，但仿真結(jié)果是這些位置都有不小的H值，這該怎么理解呢?

在space domain的結(jié)果中，絕緣材料部分是不可見的，應(yīng)該也就是沒有電流，那么這些位置的H值該理解為磁場(chǎng)嗎?

1，傳導(dǎo)電流應(yīng)該是在導(dǎo)體上存在，而位移電流可以在絕緣材料中存在
2，H在哪都是理解為磁場(chǎng)強(qiáng)度

才看到，謝謝！