CST中E-Scatter求解？

模擬環(huán)境的source是一個平面波,
想請問如何求得空間中某點的E-scatter(散射場值)?
就我知道probe算出來的E是總場,(有想過用 E總場-E入射 可求得),
想問是否有更好的方法可以直接得到.不必再額外自己做計算求得,
若是利用RCS,但有點不太清楚的是RCS是指散射場還是總場的部份?
有勞各位幫忙,謝謝^^！

RCS求的當然是散射場和總場能量的比值，但是E場是總場不是散射場這個需要注意，想得到任一點的散射場用總場減去入射方向上的入射場就可以了，貌似不是很麻煩吧……

謝謝小編的教導^^！
我知道怎麼做了
3Q

hao dong xi xiexi el

rcs是散射場和入射場能量的比值。不是跟總場的比值。

謝謝！是P-scatter / P-incident,在CST教學手冊有看到說明.
有一點想請教一下,我用Probe(有限距離)測得出來的電場.發(fā)現(xiàn)並非是總場而是散射/入射的比值.
我是由Probe的RCS&E(farfield)這兩種跑出來得值(曲線圖)來做比較.
再由RCS的公式推導出來發(fā)現(xiàn)竟是比值(E-scatter / E-incident).
感到非常的納悶,到底Probe(E-farfield)測得出來的值是E總場還是E 散射/入射的比值?

Probe測的是總場，rcs是散射場能量和入射場能量的比值