CST MWS仿真RFID電子標(biāo)簽天線是否用離散端口
RT，天線的模型是按照一篇論文做的，但仿真出來的結(jié)果發(fā)現(xiàn)駐波比很大，能量集中在端口處，在天線內(nèi)部根本沒有能量
我也是在網(wǎng)上找的一篇論文，用hfss同軸饋電方式計算，也遇到能量只在端口，不清楚什么原因。希望高手解答一下。
原因有很多種
但不知道你的問題應(yīng)該對應(yīng)哪一種
因為不知道你給的信息量很少，別人怎么回答？
只好作罷
注意你的邊界條件設(shè)置正確沒有。
很可能是邊界條件設(shè)置的問題
這樣的問題最好把模型附帶上來，描述得太粗糙不能判斷。
現(xiàn)把模型附上
我沒有運行power的那個monitor，因為我平常不使用這個監(jiān)視器。不過從表面電流來看金屬結(jié)構(gòu)都是連通的。
模型：
Global Mesh Properties設(shè)置為"17, 17, 50"，取消metal edge refinement factor，運行energy based adaptive mesh refinement，得到的S11：
表面電流分布：
優(yōu)化結(jié)束后的網(wǎng)格視圖：
后處理得到的Z參數(shù)：
不太清楚你的天線的指標(biāo)是什么，能得到的結(jié)論就是天線的匹配不理想。我不知道你所看的論文的數(shù)據(jù)是什么樣的，你并沒有告訴大家，所以沒有建議。
如果我對Z參數(shù)的理解沒有錯的話，從計算的Z參數(shù)來看天線的輸入阻抗和端口阻抗差得太遠(yuǎn)。
把離散端口的端口阻抗設(shè)置為155.3歐姆，得到的S11：
我只運行了三個Pass，得到的結(jié)果都比之前的結(jié)果要好，個人認(rèn)為天線的輸入阻抗明顯不是50歐姆。
看樓主的描述，似乎論文里的天線性能要比樓主的好，那么，現(xiàn)在的問題就是：樓主你如何確定你的模型和“論文的模型”一致？
輸入阻抗的確應(yīng)該不是50歐，論文上說設(shè)計的是匹配實部在( 35 87)之間, 虛部值在( 158 247)之間的芯片,底面材料是介電常數(shù)2.7，那應(yīng)該怎么設(shè)置輸入阻抗呢，仿真后Z參數(shù)的確是符合論文參數(shù)的，但是駐波比并沒有符合論文設(shè)計的小于2.。
我現(xiàn)在要做個雙U型天線。要求輸入阻抗是50歐。駐波比小于2，所以我就根據(jù)這篇論文的模型做的
因為測量的時候會用到50歐的同軸線，那么天線的輸入阻抗應(yīng)是50歐才能與之匹配，仿真時要將離散端口設(shè)置為50歐，那這個天線的Z參數(shù)指的是不是輸入阻抗？如果天線的輸入阻抗不是純電阻，如何仿真匹配時的情況？
