CST是否可以仿真MOSFET溝通足夠短的情況？

MOSFET溝道足夠短時(shí)，單電子從源到漏極的運(yùn)行近似彈道軌跡，是否可以仿真一群電子從源到漏的過程中只受到電子間的碰撞等影響，類似流體的情況？

這個(gè)應(yīng)該要使用粒子工作室，問題是，粒子在除電子間相互影響之外不受到任何其他作用的話，如何產(chǎn)生彈道式的軌跡？

之前這些粒子有一定的動(dòng)能呢

這些粒子可以看做流體，請(qǐng)問粒子求解中有流體方程嗎？

有動(dòng)能的話，如果沒有電場(chǎng)，那就只能直線運(yùn)動(dòng)了

沒有流體，PIC是自洽求解器，應(yīng)該可以滿足你的要求，但還是那句話，需要模擬真實(shí)情況