請問CST MWS I算法求解單站RCS是否可以進(jìn)行掃頻設(shè)置

如題，利用I算法的 Fast RCS Sweep求解單站RCS是否可以添加掃頻設(shè)置?如果有如何添加?
因為需要，必須計算一個介質(zhì)目標(biāo)的單站RCS，所以A算法用不了了。而I算法里面的快速RCS里又沒找到掃頻的設(shè)置，我知道有雙站遠(yuǎn)場監(jiān)視器的宏，但是單站RCS就不知道怎么辦了，請各位大大幫忙解答

看看在這里設(shè)置一下from to能不能解決掃頻問題。

提供一個新思路，如果是介質(zhì)的話可以用涂覆操作，這樣就可以在A中仿真了

感謝小編提供是思路，您提供的方法測試不可用，提示掃頻只能在S參數(shù)定義下使用
不過可以再下面Single Samples里面手動多添加幾個頻率。

可是用涂敷的話豈不是要加入PEC材料了，要是計算的就是單純的介質(zhì)材料呢?

這個我倒是沒考慮到，要是只有介質(zhì)的話 就只能用I了

翻了下help,A算法簡介
Please note: The solver currently only supports scattering at PEC or surface impedance type objects with vacuum background materials and open boundary conditions.

概括起來一句話：A只能求解真空中無耗媒質(zhì)的遠(yuǎn)場問題

那有人用T求解器計算過PEC上涂覆材料嗎

你說的Single Samples是所謂的后處理模型嗎 或是在列表中的farfiled下嗎 那里的RCS好像是雙站RCS啊

不是，2樓圖片那個窗口