RCS的結(jié)果一直都是用theta和phi兩個角來表示，而且設(shè)置farfield里面有一個broadb...
本人想做個簡單的涂覆材料仿真，典型RAM的電磁參數(shù)中epsilon和mue是復(fù)數(shù)，而CST材料設(shè)置中...
如圖，請問下端口的寬度是不是為wf 高度為介質(zhì)的高度？邊界條件全設(shè)置為add space 嗎？端口設(shè)...
CST中建模仿真天線，使用共面波導(dǎo)饋電時，邊界條件和端口如何設(shè)置?。窟吔纾篊ST MWS幫助文件《S...
